TSM033NA03CR RLG
제조업체 제품 번호:

TSM033NA03CR RLG

Product Overview

제조사:

Taiwan Semiconductor Corporation

부품 번호:

TSM033NA03CR RLG-DG

설명:

MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN
상세 설명:
N-Channel 30 V 129A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)

재고:

20 새로운 원본 재고 있음
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제출

TSM033NA03CR RLG 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Taiwan Semiconductor
포장
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
129A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
3.3mOhm @ 21A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1850 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
96W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-PDFN (5x6)
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
기본 제품 번호
TSM033

데이터 시트 및 문서

데이터시트

추가 정보

다른 이름들
TSM033NA03CRRLGTR
TSM033NA03CR RLGCT
TSM033NA03CRRLGCT
TSM033NA03CR RLGDKR
TSM033NA03CR RLGTR
TSM033NA03CRRLGDKR
TSM033NA03CR RLGDKR-DG
TSM033NA03CR RLGTR-DG
TSM033NA03CR RLGCT-DG
표준 패키지
2,500

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
BSZ035N03LSGATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
0
부품 번호
BSZ035N03LSGATMA1-DG
단가
0.57
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